近年來LED顯示屏死燈頻頻，前不久又開始了大量死燈潮流，芯片,金線，支架、工藝還是膠水到底哪個環節造成了死燈呢？
數據顯示，LED死燈的原因可能過百種，限于時間，今天我們僅以LED光源為例，從LED光源的五大原物料（金線、芯片、支架、熒光粉、固晶膠和封裝膠）的入手，介紹部分可能導致死燈的原因。
1、銅線、銅合金、金包銀合金線、銀合金線材代替金線
金線具有電導率大、導熱性好、耐腐蝕、韌性好、化學穩定性極好等優點，但金線的價格昂貴，導致封裝成本過高。在元素周期表中，過渡族金屬元素中金、銀、銅和鋁四種金屬元素具有較高的導電性能。很多LED廠商試圖開
發諸如銅合金、金包銀合金線、銀合金線材來代替昂貴的金線。雖然這些替代方案在某些特性上優于金線，但是在化學穩定性方面卻差很多，比如銀線和金包銀合金線容易受到硫/氯/溴化腐蝕，銅線容易氧化。在類似于吸水
透氣海綿的封裝硅膠來說，這些替代方案使鍵合絲易受到化學腐蝕，光源的可靠性降低，使用時間長了，LED燈珠容易斷線死燈。
2、直徑偏差
1克金，可以拉制出長度26.37m、直徑50μm（2 mil）的金線，也可以拉制長度105.49m、直徑25μm（1 mil）的金線。如果打金線長度都是固定的，如果來料金線的直徑為原來的一半，那么對打的金線所測電阻為正常的四分
之一。
對于供應商來說，金線直徑越細，成本越低，在售價不變的情況下，利潤越高。而對于使用金線的LED客戶來說，采購直徑上偷工減料的金線，會存在金線電阻升高，熔斷電流降低的風險，會大大降低LED光源的壽命。如1.0
mil的金線壽命，必然比1.2 mil的金線要短。（家電數碼）
3、表面缺陷
（1）絲材表面應無超過線徑5%的刻痕、凹坑、劃傷、裂紋、凸起、打折和其他降低器件使用壽命的缺陷。00568金線在拉制過程，絲材表面出現的表面缺陷，會導致電流密度加大，使損傷部位易被燒毀，同時抗機械應力的能力降低。
，造成內引線損傷處斷裂.
（2）金線表面應無油污、銹蝕、塵埃及其他粘附物，這些會降低金線與LED芯片之間、金線與支架之間的鍵合強度。
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4、拉斷負荷和延伸率過低
能承受樹脂封裝時所產生的沖擊的良好金線必須具有規定的拉斷負荷和延伸率。同時，金線的破斷力和延伸率對引線鍵合的質量起關鍵作用，具有高的破斷率和延伸率的鍵合絲更利于鍵合。太軟的金絲會導致以下不良：
（1）拱絲下垂；
（2）球形不穩定；
（3）球頸部容易收縮；
（4）金線易斷裂。
太硬的金絲會導致以下不良：
（1）將芯片電極或外延打出坑洞；
（2）金球頸部斷裂；
（3）形成合金困難；
（4）拱絲弧線控制困難。
芯片
1、芯片抗靜電能力差
LED燈珠的抗靜電指標高低取決于LED發光芯片本身（blxk），與封裝材料預計封裝工藝基本無關，或者說影響因素很小，很細微；LED燈更容易遭受靜電損傷，這與兩個引腳間距有關系，LED芯片裸晶的兩個電極間距非常小，一般是一百微米以內吧，而LED引腳則是兩毫米左右（27144），當靜電電荷要轉移時，間距越大，越容易形成大的電位差，也就是高的電壓。所以，封成LED燈后往往更容易出現靜電損傷事故。
2、芯片外延缺陷
LED外延片在高溫長晶過程中，襯底、MOCVD反應腔內殘留的沉積物（00568）、外圍氣體和Mo源都會引入雜質，這些雜質會滲入磊晶層，阻止氮化鎵晶體成核，形成各種各樣的外延缺陷，最終在外延層表面形成微小坑洞，這些也會嚴重影響外延片薄膜材料的晶體質量和性能。（
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3、芯片化學物殘余
電極加工是制作LED芯片的關鍵工序，包括清洗、蒸鍍、黃光、化學蝕刻、熔合、研磨，會接觸到很多化學清洗劑，如果芯片清洗不夠干凈（33669），會使有害化學物殘余。這些有害化學物會在LED通電時，與電極發生電化學反應，導致死燈、光衰、暗亮、發黑等現象出現。因此，鑒定芯片化學物殘留對LED封裝廠來說至關重要。
李S
蔣S
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蔣S